是之前都是对自由空间中的进行分析,在实际中由于计算量以及内存的问题。必须设置边界。这很好想清楚的(虽然想了很久)。
我们推导得到了不考虑边界的三维的FDTD的基本公式,可以很容易看出我们想得到某点的某时刻的值,可以通过前一个时刻周围点的值去推出该点该时刻的值。所以如果我们有初始时刻的场的分布,那就可以一直推下去。如果是自由空间,那我们就要存储无限个Yee元胞,这怎么可能我们不可能有无限的内存以及计算资源。比如:要计算a点,就要知道a的左右两点的前一个时刻的值,同理嘛,2->4->8->16->32….. 所以想模拟全空间的传播(亦或者说是全空间我们想要弄清楚的空间的传播)就要设置边界,形成一个有限空间,所有YEE元胞的值都能通过这个有限空间的值递推,不需要借助该空间以外的值。这个边界,一定要首先满足的是不会有反射波的产生,不然就会破坏空间里电磁波原本 的传播了。所以它就叫吸收边界。
Engquist-Majda吸收边界的解析形式(Mur吸收边界)
这个边界有点像是截断边界,边界以外的区域的场值为0,即该边界将波全吸收了。(可能
考虑二维问题,对无源区域,电磁场满足亥姆霍兹方程(Helmholtz equation)。
由分离变量法可解得,其解系
我们选择一个正方形区域:
取左边界$x = 0$可以得知,应存在入射波和反射波,则在区域内解应为入射波和反射波的合成。
取左边界部分观察:
其中入射波为:
反射波为:
把式(1-3)代入(1-1)保留对x的导数得:
定义算子$L$:
可有:
显然带入计算可得:
考虑模拟全空间(自由空间),边界处不应该有反射波。对式(1-8)做如下处理:
如要不存在反射波,则有$f_+ = 0$。对式(1-9)有:
对于时谐场有算子替换:
对左边界部分的反射波有算子替换:
对式(1-9)有:
同理对右边界$x = x_0$有:
同理可得上下边界
一阶近似
边界的解析式中含有根号内的求导运算,不会近似。恰好,学过Taylor展开近似。
由Taylor展开:
对于一阶近似,我们只取$\jmath k$,则式(1-13)有:
二阶近似
对于二阶近似,我们只取$\jmath k - \jmath \frac{1}{2} \frac{k_y^2}{k}$,则式(1-13)有:
汇总
我们可以类似二维推算出一维、三维。
一维Mur吸收边界的解析式
很容易得出,一维无需近似,其解析式为:
二维Mur吸收边界的解析式
有:
三维Mur吸收边界的解析式
不难得出,三维Mur吸收边界的解析式的一阶近似式等同于二维的形式,对于其二阶近似式,仅给出截断面为yoz
时的形式,其他同理即可:
Mur吸收边界的FDTD形式
这里我只推二维,因为三维运算量太大了,暂时不动笔。而一维其实就是二维的一阶近似罢了。
考虑TM波,$x = 0$
TM波的$H_x$和$H_y$分量,其左边界量为$(i, j + 1/2)$和$(i+1/2, j )$,由上一节FDTD基本公式可知:
所要求的值不涉及截断边界以外的值,所以无需使用吸收边界,同理$H_y$。这里想一下如果左边界$E_x(i,j)$仍使用FDTD基本公式求解,可以发现其要求使用到截断边界以外的值,所以对$E_z$要设置截断边界。
一阶近似式
对$E_z$,取$E^{n+1/2}(i+1/2, j)$为观察点。有:
这里由于与$j$无关我们简化一下:$E_z(i+1,j) \leftarrow f(i+1)$
采用线性插值
可得:
二阶近似式
这里我们如果直接进行差分,运算有点大,三维情况下对二阶近似式就是直接差分,同时求出的结果也很直观的反映的是那些位置对边界产生了影响,二维也是如此,二维是6个点对其产生了影响,如果画出图,就很容易知道,为什么对于角顶点还要单独讨论。
这里我们不进行直接差分,对二阶近似式中的第三项。这里我们讨论对于无耗介质$\sigma_m = 0$
将式(1-24)带回$\frac{1}{v} \frac{\partial^2 f}{\partial t \partial x} - \frac{1}{v^2} \frac{\partial^2 f}{\partial t^2} + \frac{1}{2} \frac{\partial^2 f}{\partial y^2} = 0$有:
头两项依旧是一阶近似式
插一句,同理右边界:
对式(1-25)右边第三项进行差分,取$H^{n+1/2}(i+1/2, j+1/2)$为观察点,再进行线性插值:
可得二阶近似: